2N6799 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  2N6799
• Производитель
  TI (Texas Instruments)
• Описание
  TI (Texas Instruments) 2N6799 Package Shape: ROUND Package Style: CYLINDRICAL Terminal Form: WIRE Terminal Finish: TIN LEAD Terminal Position: BOTTOM Number of Terminals: 3 Package Body Material: METAL Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER Drain Current-Max (ID): 3 A DS Breakdown Voltage-Min: 350 V Drain-source On Resistance-Max: 1 ohm Pulsed Drain Current-Max (IDM): 14 A
• Количество страниц
  6 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  160,06 KB

2N6799 datasheet скачать

2N6799 datasheet